特許

J-GLOBAL ID：200903071421967407

反射型マスク製造方法

発明者： 星野 栄一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111908
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291661
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】多層膜反射体の最上層がオーバエッチングで除去されてしまうのを防止し、かつ、SiO2バッファ膜のパターン側壁に比較的大きなテーパが形成されてそのボトムエッジが吸収体のボトムエッジから外側へ突出するのを阻止する。【解決手段】SiO2バッファ膜12の一部が除去されるまでTa吸収体13を反応性イオンオーバエッチングした状態で、SiO2バッファ膜12を反応性スパッタアンダエッチングとウェットエッチングとの2段階で除去する。すなわち、第1段階において、SiO2バッファ膜12を下層のα-Si11aが露出しない状態まで反応性スパッタアンダエッチングし、第2段階において、希フッ酸で残りのSiO2バッファ膜を除去する。

請求項（抜粋）：

多層膜反射体上にSiO2バッファ膜を介して吸収体膜が形成され、その上にエッチングマスクが形成された基板に対し、該吸収体膜をエッチングで除去した後、該SiO2バッファ膜をエッチングで除去し、さらに該エッチングマスクを除去する反射型マスク製造方法において、該吸収体膜のエッチング工程では、第1反応性ガスで反応性イオンオーバエッチングし、これによりSiO2バッファ膜の側壁に、該吸収体の物質と該第1反応性ガスとの化合物を含む第1付着物を付着させ、該SiO2バッファ膜のエッチング工程では、第2反応性ガスで反応性スパッタアンダエッチングし、これにより該第1付着物及び該SiO2バッファ膜の表面に、該第2反応性ガスの化合物を含む第2付着物を付着させ、次に、残存するSiO2バッファ膜を、該第2付着物に対する溶解度が該第1付着物に対するそれよりも大きい反応性液体でウェットエッチングすることにより除去する、ことを特徴とする反射型マスク製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 D

Fターム (22件)：

2H095BA10 ,  2H095BB15 ,  2H095BB16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EB07 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F046GD01 ,  5F046GD03 ,  5F046GD07 ,  5F046GD10 ,  5F046GD15