特許

J-GLOBAL ID：200903071421975450

強誘電体記憶素子

発明者： 平井 匡彦 ,  垂井 康夫
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社 ,  垂井 康夫
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004685
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199999
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 安定に動作し、信頼性の高いMFIS-FETの強誘電体記憶素子であり、高速で不揮発、かつ低消費電力の高集積メモリの強誘電体記憶素子であること。【解決手段】 本発明の強誘電体記憶素子は、半導体単結晶基板表面に形成された不純物拡散層からなるソース部およびドレイン部の間を橋かけするように設置されたゲート電極部が、界面制御絶縁膜、酸化セリウムを主成分とする配向制御絶縁膜、強誘電体薄膜および導電帯薄膜をこの順に下から積層した積層体である。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板表面に形成された不純物拡散層からなるソース部およびドレイン部の間を橋かけするように設置されたゲート電極部が、界面制御絶縁膜、酸化セリウムを主成分とする配向制御絶縁膜、強誘電体薄膜および導電帯薄膜をこの順に下から積層した積層体であることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 23/14 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 23/14 ,  H01L 27/10 651