特許

J-GLOBAL ID：200903071424578088

電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器

発明者： 鬼塚 達也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-297204
公開番号（公開出願番号）：特開2006-113092
出願日： 2004年10月12日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【目的】 単純な製造プロセスでかつ、低い電気抵抗を有する反射膜あるいは半透過反射膜を備えた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。【解決手段】 半透過反射膜8aの主成分であるアルミニウムと比べ、電気陰性度の高い銅を面内で組成分布を持つよう形成した後、電解液であるフォトリソグラフ工程で用いられる現像液に浸す。すると銅が密な分布を持つ領域と、該領域周辺とで電気陰性度の差により、局部電池を形成される。銅が密な分布を持つ領域近傍のみを選択的に電蝕させ、さらに電蝕処理を続けることで添加物が密な分布を持つ領域近傍に光を透過させるための孔をあける。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

電気光学物質を保持する基板に、表面からの入射光の一部を反射させ、かつ裏面からの入射光の一部を透過させる半透過反射膜が設けられている電気光学装置の製造方法において、 前記半透過反射膜の形成工程は、 前記半透過反射膜を構成する主成分より電気陰性度の高い添加物を、電解液の存在下で前記添加物と前記主成分とが局部電池を形成するよう前記半透過反射膜中の表面および表面近傍に前記添加物の濃度分布を付与して前記半透過反射膜を成膜する成膜工程と、 前記局部電池による電蝕反応を用いたエッチングを前記電解液中で行なうことで、前記裏面からの入射光の一部を透過させるための孔をあける前記半透過反射膜のエッチング工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/133 ,  G02F 1/134 ,  G09F 9/00 ,  G09F 9/30

FI (5件)：

G02F1/1335 520 ,  G02F1/1335 525 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 349D

Fターム (32件)：

2H091FA02Y ,  2H091FA15Y ,  2H091FA35Y ,  2H091FB08 ,  2H091FC26 ,  2H091FD04 ,  2H091FD23 ,  2H091GA03 ,  2H091GA13 ,  2H091LA12 ,  2H091LA13 ,  2H091LA15 ,  2H092GA17 ,  2H092GA19 ,  2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JB07 ,  2H092JB51 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094ED11 ,  5C094GB10 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435FF03 ,  5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-127567   出願人：カシオ計算機株式会社