薄膜半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本紀康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178301
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021478
出願日： 1988年07月07日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】記憶容量が大きくかつ製造が容易な電気的にデータの書き込み・消去の可能な半導体記憶素子を実現する。【構成】絶縁性基板21の上方に制御ゲート22とフローティングゲート25を絶縁膜24により絶縁して積層形成し、さらに薄膜部を形成した絶縁膜24を介しフローティングゲート25に対向して半導体膜26を設け、その半導体膜26と電気的に接続され、前記薄膜部を介してフローティングゲート25に対向する突部30aを形成したドレイン電極30と、半導体膜26と電気的に接続され、ドレイン電極30と所定の間隔をもって形成されたソース電極29とが設けられた構成とした。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成された制御ゲートと、該制御ゲートと絶縁して積層形成されたフローティングゲートと、該フローティングゲートを囲って絶縁し、一部に薄膜部を設けた絶縁膜と、少なくとも前記フローティングゲートに対向させて形成された半導体膜と、該半導体膜と電気的に接続され、前記絶縁膜の薄膜部を介して前記フローティングゲートと対向する突部を形成した第1の電極と、前記半導体膜と電気的に接続され、第1の電極と所定の間隔をもって形成された第2の電極とを備えたことを特徴とする薄膜半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/12 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/78 311 C

前のページに戻る