特許

J-GLOBAL ID：200903071428939328

半導体装置の製造方法およびそのシステム

発明者： 吉武 康裕 ,  松本 俊一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075743
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288694
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】特殊なレチクルや露光装置上のセンサを用いることなく、簡便な方法で露光装置の製品に対する転写性能評価を行い、露光装置を選定することにより、遅滞なく量産展開ができる半導体装置の製造方法およびそのシステムを提供することにある。【解決手段】半導体装置の回路パターンの寸法分布に影響を与えるコマ収差と像面彎曲を事前に算出し、回路パターン転写時に半導体装置の規格を満たすか予測することにより、試し焼き無しでの露光装置の選定を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

露光装置の候補を選択する候補選択ステップと、 該候補選択ステップで選択された露光装置の候補毎に、露光光学系の少なくとも3次及び5次のコマ収差の分布を算出するコマ収差算出ステップと、 前記候補選択ステップで選択された露光装置の候補毎に、露光光学系の像面彎曲の分布を算出する像面湾曲算出ステップと、 前記候補選択ステップで選択された露光装置の候補毎に、前記コマ収差算出ステップにおいて算出された露光光学系の少なくとも3次及び5次のコマ収差の分布並びに前記像面湾曲算出ステップにおいて算出された露光光学系の像面彎曲の分布に基づいて露光ショット内の露光パターン寸法分布を算出する露光パターン寸法分布算出ステップと、 前記候補選択ステップで選択された露光装置の候補について、前記露光パターン寸法分布算出ステップにおいて算出された露光ショット内の露光パターン寸法分布と露光対象製品毎の規格とを比較して着工可否の判定を行う適否判定ステップとを有し、 該適否判定ステップで着工可となった露光装置を用いて被露光基板に前記露光対象製品の回路パターンを露光して半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (3件)：

H01L21/30 502Z ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 516A

Fターム (4件)：

5F046AA28 ,  5F046DB04 ,  5F046DB10 ,  5F046DD06