特許
J-GLOBAL ID：200903071431192845
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032194
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 成膜装置において、成膜反応に使用されなかった未反応ガスや、成膜反応により生じた反応生成物の排気経路への固着を制御し、排気経路の閉塞によるトラブルを未然に防止する。【解決手段】 成膜室から排気装置102までの排気経路100に脱着可能に設けられた排気管104と、前記脱着可能な排気管104内に冷却した不活性ガス103を導入するための導入系統107とを設けることにより、成膜反応により生じた反応生成物105が脱着可能な排気管104に固着される。この結果、排気装置102内での反応生成物の固着量を大幅に減少させて、前記排気装置102のメンテナンス周期を長期化できるようにする。
請求項（抜粋）：
排気装置を具備し、成膜室内に所定のガスを流通させて被処理物に所定の処理を施す半導体製造装置において、前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、脱着可能に設けられた排気管と、前記脱着可能な排気管内に冷却した不活性ガスを導入するための導入系統とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, H01L 21/205
