特許

J-GLOBAL ID：200903071434204429

半導体素子の実装方法及びそのバンプ電極の形成方法

発明者： 池端 昌夫 ,  糟谷 行男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-123370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251448
出願日： 1991年05月28日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 先端が広がった形状のバンプ電極を形成することにより、機械的接続強度の向上を図る。【構成】 半導体素子のバンプ電極をめっき法で形成するバンプ電極の形成方法において、めっき用ホトレジスト27にすり鉢状の穴30を形成し、この状態でめっきを行い、先端が広がったホーン形バンプ電極31を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子のバンプ電極をめっき法で形成するバンプ電極の形成方法において、(a)めっき用ホトレジストにすり鉢状の穴を形成し、(b)その状態でめっきを行い、(c)先端が広がったホーン形電極を形成することを特徴とする半導体素子のバンプ電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F