特許
J-GLOBAL ID：200903071435224873
半導体式加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-174481
公開番号（公開出願番号）：特開平7-027786
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 セラミック基板の金属性ステムへの接着を、硬化後、弾力性を有するシリコン系接着剤によって行い、接着層の弾性を利用して熱ストレスを吸収して蓄積されることを防止する。【構成】 半導体式加速度センサエレメントが搭載される基板をシリコン接着剤を介して金属性ステムに接着する。
請求項（抜粋）：
梁部(4)が形成され、該梁部の基部に板バネ部(6)が、また先端部に質量部(7)が設けられてなる半導体式加速度センサエレメントと、該半導体式加速度センサエレメント及びその周辺回路(10)が搭載されてなる基板(9)と、該基板が接着層(13)を介して接着される金属性ステム(1)と、該金属性ステムの上方からそのステムを覆って周縁部(15)が互いに溶着される金属性シェル(14)とを備えてなる半導体式加速度センサにおいて、前記接着層(13)は複数箇所に分割されて設けられ、かつ該接着層(13)はシリコン接着剤から形成されてなることを特徴とする半導体式加速度センサ。
IPC (2件)：
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