特許

J-GLOBAL ID：200903071436685270

半導体装置の製造方法

発明者： 今野 篤志
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212724
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】逆スパッタチャンバー内のエッチング物はメンテナンス時しか除去できなかった。メンテナンスを行わずして除去する事を特徴とした半導体製造装置の製造方法。【解決手段】チャンバー内にガスを一気に流し込む事により、チャンバー内壁に堆積しているエッチング物を強制的に振るい落とす。その後、酸化膜付きウエハーを搬送する事によりエッチング物を吸着させ除去する。【効果】チャンバー内壁から発生するパーティクルを防止する事ができ、且つメンテナンス頻度の延長ができる。

請求項（抜粋）：

逆スパッタチャンバー内壁に堆積したエッチング物を強制的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/00 ,  C23C 14/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/00 B ,  C23C 14/02 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

Fターム (14件)：

4K029BA23 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DA09 ,  4K029FA05 ,  4K029FA09 ,  4M104BB02 ,  4M104DD23 ,  4M104DD39 ,  4M104HH20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB25 ,  5F103BB49