特許
J-GLOBAL ID：200903071437174873
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012763
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218466
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 基本横モード発振の高出力レーザ素子を歩留り良く製造することができ、かつ、高信頼性で高出力な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体レーザ素子では、リッジ部11が有するリッジ上部11Uの側面11aは、{111}A面の面方位が出ている側面である。したがって、電流ブロック層7,8およびコンタクト層9内での結晶欠陥、転移、歪の発生を防止できる。また、リッジ下部11Lは、垂直異方性ドライエッチングによって、垂直なリッジ側面11Lsとなるリッジ形状となっている。したがって、レーザ発振の横モード制御に重要なリッジ下部11Lのリッジ幅Dを高精度に制御できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、共振器の長さ方向に延在するリッジ部を構成する第2導電型の第3クラッド層および第2導電型のキャップ層と、上記リッジ部の両脇に配置された電流ブロック層と、上記リッジ部の上に配置された第2導電型コンタクト層とを備える半導体レーザ素子であって、上記リッジ部は、側面の面方位出しが行われている0.3μm厚以上の部分を含む上部を有し、上記リッジ部が有する下部の側面と上記リッジ部の底面とがなす角度と90°との差が、上記リッジ部の上部の側面と上記リッジ部の底面とがなす角度と90°との差よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/227
, H01L 21/306 B
5F043AA14
, 5F043AA16
, 5F043AA20
, 5F043BB07
, 5F043BB10
, 5F073AA11
, 5F073AA73
, 5F073AA83
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA23
, 5F073DA25
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA24
, 5F073EA29
