特許
J-GLOBAL ID:200903071439993944
光情報装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-320333
公開番号(公開出願番号):特開平7-175080
出願日: 1993年12月20日
公開日(公表日): 1995年07月14日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 光情報装置において特性の経時変化が少ないようにする。【構成】 光照射あるいは電界印加などの外部刺激によって安定化が図られた、即ちSW効果を積極的に導入した、半導体としてのa-Si:Hからなる光スイッチング素子4を備えている。このため、特性の経時変化を減少させ得、安定した性能を得ることができると共に、使用する半導体の光信号に対する感度(オン/オフ)が向上し、高性能化を図ることができる。
請求項(抜粋):
光導電効果または光起電力効果を生じる半導体を備えた光情報装置において、該半導体が外部刺激を受けており、該半導体の光導電率及び暗導電率が、該外部刺激を受ける前における光導電率及び暗導電率の初期値の20%以下である光情報装置。
IPC (5件):
G02F 1/135
, G09F 9/33
, H01L 21/145
, H01L 27/15
, H01L 31/0248
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭60-236121
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特開平1-173016
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特開平4-356024
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