特許

J-GLOBAL ID：200903071442264970

半導体装置の製造方法

発明者： 川田 修二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080374
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280447
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ素子分離領域を有する半導体装置において、素子分離領域の形成に高精度な加工技術を用いることなく、十分な素子特性を有する素子の形成を可能にする。【解決手段】 素子形成工程によって素子領域1aa〜1acを形成した後に、素子分離領域エッチング工程によって、素子分離領域1ba、1bbのエッチングを行い、トレンチ素子分離領域埋め込み工程によって、そのエッチング部16b、16cに絶縁膜20を埋め込む。

請求項（抜粋）：

素子領域を分離する素子分離領域を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板の前記素子領域に素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程の後、前記半導体基板の前記素子分離領域部分をエッチングする素子分離領域エッチング工程と、前記素子分離領域エッチング工程の後、前記半導体基板のエッチング部分に絶縁膜を埋め込むトレンチ素子分離領域埋め込み工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/90 D ,  H01L 29/78 301 R ,  H01L 29/78 301 N

Fターム (69件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA66 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA02 ,  5F032DA25 ,  5F032DA44 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033MM07 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN20 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX09 ,  5F140AA15 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG41 ,  5F140BG58 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ23 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ29 ,  5F140BK02 ,  5F140BK26 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE05 ,  5F140CE20 ,  5F140CF00