特許

J-GLOBAL ID：200903071444426705

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 清水 雅裕 ,  山口 偉久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204418
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 一導電型にドープされたポリシリコンに逆導電型の不純物を注入することなく、前記ポリシリコン上に滑らかな接合面で金属シリサイド膜を形成し、シート抵抗の低いポリサイド構造のゲート電極を得る。【構成】 ゲート酸化膜5上にソース/ドレイン注入における高濃度不純物、ホウ素イオン又はフッ化ホウ素イオンが注入されないようにリンドープトポリシリコン6を設け、前記リンドープトポリシリコン6上に滑らかな接合面17でチタンシリサイド膜13を形成する。

請求項（抜粋）：

ソース/ドレイン領域の一導電型の不純物とは逆導電型の不純物のみを含むゲート酸化膜上のポリシリコンと、前記ポリシリコン上に滑らかな接合面で形成されたシリサイド膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G