特許
J-GLOBAL ID：200903071445423033
マイクロトランスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-110337
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270465
出願日： 2007年04月19日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】マイクロトランスの製造方法において、スループットを向上させること。コイル間の絶縁膜にクラックが入るのを防ぐこと。選択比の大きなマスク材を用いずに製造すること。【解決手段】不純物拡散領域2が部分的に形成された半導体基板1の全面に絶縁膜3を堆積する。この絶縁膜3を部分的に除去し、第1の開口部4および第2の開口部5を形成する。ついで、中心パッド8が第1の開口部4を介して不純物拡散領域2に接触するように1次コイル7を形成する。そして、1次コイル7の上に薄い絶縁膜10を堆積する。この、1次コイル側の絶縁膜10の上に、絶縁体材料12を、接着テープ13によって貼り合わせる。ついで、絶縁体材料12の表面に2次コイル15を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に不純物拡散領域を選択的に形成する不純物拡散領域形成工程と、
前記不純物拡散領域が形成された半導体基板の表面に第1の絶縁膜を堆積し、該第1の絶縁膜に第1の開口部および第2の開口部をそれぞれ前記不純物拡散領域まで到達するように形成する第1の絶縁膜堆積工程と、
前記第1の絶縁膜、前記第1の開口部および前記第2の開口部の上に第1の導電膜を積層し、前記第1の導電膜の、前記第1の開口部の上の部分を中心として、該第1の導電膜を所望の形状に加工する第1の導電膜処理工程と、
前記第1の絶縁膜および前記第1の導電膜の上に第2の絶縁膜を堆積し、該第2の絶縁膜の一部を除去して、前記第1の導電膜の、前記第2の開口部の上の部分を露出させる第2の絶縁膜堆積工程と、
前記第2の絶縁膜の上に絶縁体材料を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記絶縁体材料の表面に所望の形状の第2の導電膜を形成する第2の導電膜処理工程と、
を含むことを特徴とするマイクロトランスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
3C081AA18
, 3C081CA02
, 3C081CA13
, 3C081CA17
, 3C081CA29
, 3C081CA32
, 3C081DA02
, 3C081DA27
, 3C081DA29
, 3C081DA30
, 3C081DA31
, 3C081EA21
, 5E062DD04
