特許
J-GLOBAL ID：200903071453877493
半導体基板用熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176025
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343312
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 熱処理時の温度制御を高精度に行う。【構成】 半導体基板2を収容する加熱室19を有しかつプロキシミティ制御用ピン4で半導体基板2を支承する熱処理槽1を備える。加熱室19の上部に恒温窒素ガスを供給する恒温ガス供給装置11を備える。前記加熱室19の下部からガスを吸引して排出する排気装置15とを備えた。半導体基板2は恒温窒素ガスに晒されるから、恒温窒素ガスによって加熱室19内が換気されると共に半導体基板2が加熱される。したがって、加熱室19を換気してパーティクルを排出しつつ加熱室19内の温度制御を高精度に行えるようになる。
請求項（抜粋）：
レジストが塗布された半導体基板を収容する加熱室が形成されかつ前記半導体基板の下面を加熱室底面から離間させた状態で支承する支承部材を備えた熱処理槽と、前記加熱室の上部に連通され加熱室内換気用ガスを熱処理温度に加熱して加熱室内に供給する恒温ガス供給装置と、前記加熱室の下部に連通され加熱室内のガスを吸引して排出する排気装置とを備えたことを特徴とする半導体基板用熱処理装置。
FI (2件)：
H01L 21/30 361 H
, H01L 21/30 301 H
