特許

J-GLOBAL ID：200903071454281080

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中岡 弘明 ,  中西 賢太郎 ,  海本 博之 ,  柁谷 敦宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-153021
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356431
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】微細化され、ゲート電極中の不純物のチャネル領域への侵入とゲート電極の空乏化とを共に抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極20,21に注入された不純物の活性化のための第1の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。次に、第2の熱処理として、ポリシリコン層中の各グレイン内への不純物の拡散が生じるような高温短時間の熱処理、スパイクアニール,フラッシュアニール等を行なう。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板の活性領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程(a)と、 上記ゲート絶縁膜上にシリコン膜を形成する工程(b)と、 上記シリコン膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程(c)と、 少なくとも上記ゲート電極をマスクとして、不純物のイオン注入を行なって高濃度不純物拡散領域を含むソース・ドレイン領域を形成する工程(d)と、 上記ゲート電極に導入された不純物を活性化するための第1の熱処理を行なう工程(e)と、 上記第1の熱処理よりも高温かつ短時間の条件で、上記ゲート電極及び上記ソース・ドレイン領域に導入された不純物を活性化するための第2の熱処理を行なう工程(f)と を含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/265 602B ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301F

Fターム (44件)：

5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA21 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF32 ,  5F140BF33 ,  5F140BF34 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG32 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07