特許
J-GLOBAL ID：200903071454657284
真空蒸着装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302679
公開番号（公開出願番号）：特開2003-105531
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 レジストの硬化を防止できる真空蒸着装置を提供すること。【解決手段】 真空容器1と、この真空容器11内に配置され電子ビームeの照射によって金属を蒸発する蒸発源12と、蒸発した金属の層が形成される半導体基板18を取り付ける基板装着部16とを具備した真空蒸着装置において、蒸発源12と基板装着部16との間にプラス電位の偏向装置20を設ける。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内に配置され電子ビームの照射によって金属を蒸発する蒸発源と、蒸発した前記金属の層が形成される基板を取り付ける基板装着部とを具備した真空蒸着装置において、前記蒸発源と前記基板装着部との間にプラス電位の偏向装置を設けたことを特徴とする真空蒸着装置。
Fターム (6件)：
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA03
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB21
