特許

J-GLOBAL ID：200903071460594790

MOSFETの保護装置およびその製造方法

発明者： 岡田 喜久雄 ,  桑子 栄一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043574
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】ゲート酸化膜の保証値が10V系のパワーMOSFETでは、PN接合のツェナーダイオード2個を直列に接続してツェナーダイオードのトータルの保護レベル電圧が15Vになる構造になっているが、PN接合部の不純物濃度が高いとリーク電流が0.5μAと大きく、MOSFETのOFF時でもツェナーダイオードでの電力消費が発生し、問題となっていた。【解決手段】本発明はツェナーダイオードのPN接合の間にN-型領域22を設けることにより、空乏層を広げ、さらに電子のトンネル先の準位を作らないようにするものである。このことによりリーク電流を大幅に低減でき、OFF時でもツェナーダイオードでの電力消費を低減できるMOSFETの保護装置およびその製造方法を提供できる。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン層に設けた一導電型領域および逆導電型領域からなるツェナーダイオードを同心状に複数個重ねたMOSFETの保護装置において、前記一導電型領域と前記逆導電型領域の間に前記逆導電型領域よりも低濃度の逆導電型領域を挿入することを特徴とするとするMOSFETの保護装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653

FI (3件)：

H01L 29/78 657 C ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 653 A