特許

J-GLOBAL ID：200903071470307749

平面コイルの製造方法

発明者： 澤邊 厚仁 ,  佐藤 敏郎 ,  富田 宏 ,  長谷川 迪雄 ,  溝口 徹彦 ,  金子 尚史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158019
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006832
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、平面インダクタなどのQ値の向上と、作製工程の簡素化を目的とする。【構成】 平面インダクタなどに代表される磁気素子内の平面コイルを作製する際 に、あらかじめ作製するべきコイル導体幅と等しい幅のスペースを取るようなパターンを作製しておき、それに基づいて下地表面にコイル導体を形成し、その後にコイル導体部分の表面全体を覆うように薄い絶縁層5を形成し、最後に残りのスペース部分を金属材料で埋めて、コイルを作製する方法に関する物である。本発明によれば隣接するコイル導体間の絶縁膜5の厚さを非常に薄くすることができ、その結果高いQ値を有する平面インダクタの作製が、シンプルな工程で可能となる。絶縁層2の形成方法としては、熱およびプラズマCVD法などの気相成長法や、コイル導体自身の酸化によるものなどが代表例としてあげられる。

請求項（抜粋）：

磁性膜上に絶縁膜を形成した下地裏面に導体膜を形成する工程と、導体膜にコイル導体幅以上の幅の溝を形成する工程と、溝形成後に残存した導体膜を絶縁膜で被覆する工程と、溝に導体膜を充填する工程を行うことを特徴とする平面コイルの製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/04 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-081818
  
• 特開昭54-082069
  
• 特開昭56-098711