特許

J-GLOBAL ID：200903071473283921

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 古谷 章 ,  菅野 真実 ,  近藤 真人 ,  穴山 親志 ,  棚橋 俊之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-092341
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260714
出願日： 1991年04月23日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザにおいて、屈曲した活性層を得るための下側のクラッド層が薄くても単一横モード制御を行うストライプ幅は広くできるようにする。【構成】 基板(81)は主表面である(100)面と斜面である(111)B面により第1のストライプの順メサを構成する。埋め込み層(82)は基板の(100)面を除いて(111)B面を被うように形成され、埋め込み層の斜面と基板の(100)面とにより第2のストライプの順メサを構成する。第2のストライプの順メサ上に形成されるダブル・ヘテロ構造(83〜85)の台形形状は、第2のストライプの順メサにより決定される。

請求項（抜粋）：

主表面における面指数が(100)であり〈110〉方向に延在し、且つ、面指数が(111)Bである斜面をもった第1のストライプの順メサが形成されている基板と、該第1のストライプの順メサの頂面である(100)面を除いて該第1のストライプの順メサの(111)B面を被うように該基板上に形成されている埋め込み層と、該埋め込み層の斜面と該第1のストライプの順メサの頂面である(100)面とで形成される第2のストライプの順メサ上に形成されている半導体層からなるダブル・ヘテロ構造とを有し、該ダブル・ヘテロ構造の断面台形形状が該第1のストライプの順メサより傾斜がゆるやかな該第2のストライプの順メサにより決定されることを特徴とする半導体レーザ。