特許

J-GLOBAL ID：200903071478146221

単結晶シリコンの放電加工方法

発明者： 国枝 正典 ,  生島 聡之
出願人/特許権者： 株式会社ソディック ,  国枝 正典 ,  阿部 耕三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-257883
公開番号（公開出願番号）：特開平11-077441
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：

【要約】【課題】 単結晶不純物(p型又はn型)半導体シリコンへの放電加工技術の適用は、該シリコンが単に高抵抗体であると言うだけでなく、シリコンと給電体との接触面に整流性接触が形成される場合があるだけでなく、シリコンと放電プラズマとの接触面に於ても同様な問題があって、放電加工の適用及び効率の良い加工の実現が困難であった。【解決手段】 前記シリコン体の、放電加工電源の一方の極に接続された給電体との接触面に、不純物半導体化用元素又は該元素を有効成分として含有する合金をプレイティングし、次いで加熱して拡散処理してオーミック接触面を形成し、該シリコン体の前記接触面以外の面に加工媒体を介して加工電源の他方の極に接続した加工電極を相対向させて放電加工する。

請求項（抜粋）：

不純物半導体である単結晶シリコン体の放電加工方法であって、前記シリコン体の、放電加工電源の一方の極に接続された給電体との接触面に、不純物半導体化用元素又は該元素を有効成分として含有する合金をプレイティングし、次いで加熱して拡散処理してオーミック接触面を形成し、該シリコン体の前記接触面以外の面に加工媒体を介して加工電源の他方の極に接続した加工電極を相対向させて放電させることを特徴とする単結晶シリコンの放電加工方法。