パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249547
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104256
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】高解像レジストとコントラスト増強膜を組み合わせた2層構造にすることにより、レジストパターンの断面形状を逆テーパー形状にしリフトオフ法による金属配線形成を容易にすること。【構成】ウェハ1上に高解像レジストを塗布し、その上にコントラスト増強膜3を塗布する。この状態で露光,コントラスト増強膜3の除去、レジストの現像処理を行なうと逆テーパー形状のレジストパターンが形成できる。その上から金属膜4を付け、その後レジストパターン2を除去すると金属膜4の配線パターンが形成される。【効果】本発明によりリフトオフ法においてショート,断線のない配線パターンを形成することが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体装置等の素子製造方法の中の金属配線形成に使われるリフトオフ法において、レジストパターン形成を高解像レジストとコントラスト増強膜を組み合わせた2層構造にしたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 21/88 G , H01L 21/30 361 S , H01L 21/30 361 V

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