特許
J-GLOBAL ID:200903071487148857
ゲート電極の駆動回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-121151
公開番号(公開出願番号):特開平8-317288
出願日: 1995年05月19日
公開日(公表日): 1996年11月29日
要約:
【要約】【目的】 ポテンシャルシフトやVthシフトなどを防止し、プロセスにより発生する回路の特性のばらつき範囲を狭めることを可能としたゲート電極の駆動回路を提供する。【構成】 nチャネルのみのMOSトランジスタQ11,Q12からなり、CCDリニアセンサにおける出力ゲート部21のゲート電極20にDCバイアスを印加するバイアス回路24において、回路出力端であるノードNに逆バイアスとなるように保護用ダイオードD15を接続し、配線形成工程以降のプロセスでチャージアップが発生した場合に、マイナス電荷に対してはMOSトランジスタQ11,Q12のn-pのダイオード構造が基板への逃げ道を形成し、プラス電荷に対しては保護用ダイオードD15のp-nのダイオード構造が基板への逃げ道を形成する構成とする。
請求項(抜粋):
回路出力端と基板との間に一方向のダイオード構造のみをもつ第1の回路素子によって構成され、その回路出力端に配線を介して接続される所定のゲート電極を駆動する駆動回路であって、回路出力端と基板との間に前記第1の回路素子と逆方向のダイオード構造をもつ第2の回路素子を設けたことを特徴とするゲート電極の駆動回路。
IPC (7件):
H04N 5/335
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/762
, H01L 21/339
, H04N 1/028
, H01L 29/861
FI (5件):
H04N 5/335 F
, H04N 1/028 A
, H01L 27/04 B
, H01L 29/76 301 B
, H01L 29/91 C
前のページに戻る