特許

J-GLOBAL ID：200903071489626217

化学蒸着により少なくとも1つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置

発明者： ローラント ルツプ ,  ヨハネス フエルクル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159185
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068079
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】少なくとも1つの基板の表面にCVD法により膜を生成するための方法及び装置を得る。【解決手段】CVDプロセスにおいて少なくとも900°Cに保たれる基板2の表面20にプロセスガス流5が導かれる。このプロセスガス流から基板2に膜6が堆積される。プロセスガス流は重力Gに対して少なくともほぼ逆平行に向けられている。

請求項（抜粋）：

a)少なくとも1つの基板(2)の表面(20)に少なくとも900°Cの析出温度(T2 )が設定され、b)プロセスガス流(5)がこの析出温度(T2 )より低い温度(T1 )にある空間領域(22)から基板(2)の表面(20)に導かれ、c)基板(2)の表面(20)に化学蒸着(CVD)によりプロセスガス流(5)から膜(6)が析出され、d)プロセスガス流(5)が少なくとも基板(2)の表面(20)に当たる直前に重力(G)に対して少なくともほぼ逆平行に向けられることを特徴とする化学蒸着により少なくとも1つの基板の表面に膜を生成する方法。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/36 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 H ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/36 A ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205