特許

J-GLOBAL ID：200903071490655972

電子輸送層および/またはアンチクエンチング層を用いて製造された電子デバイス

発明者： ダニエル デイビッド ルクロウ ,  ワン イン
出願人/特許権者： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-520124
公開番号（公開出願番号）：特表2005-533342
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

本発明は、アノードと、カソードと、光活性層とを備える光活性デバイスであって、光活性層の電子移動によるクエンチングとエネルギー遷移によるクエンチングの両方を最小限に抑える電子輸送層および/またはアンチクエンチング層をさらに備える光活性デバイスに関するものである。

請求項（抜粋）：

(a)アノードと、 (b)仕事関数エネルギー準位がE3であるカソードと、 (c)前記アノードと前記カソードとの間に配置された光活性層であって、前記光活性層が遷移金属のシクロメタル化錯体を含み、前記シクロメタル化錯体がLUMOエネルギー準位E2およびHOMOエネルギー準位E4を有するものと、 (d)前記カソードと前記光活性層との間に配置された電子輸送層および/またはアンチクエンチング層であって、前記電子輸送層および/またはアンチクエンチング層がLUMOエネルギー準位E1およびHOMOエネルギー準位E5を有するものと、を含み、 但し、 (1)E1-E3<1V、 (2)E1-E2>-1V、および (4)E4-E5>-1Vである光活性電子デバイス。

IPC (3件)：

H05B33/14 ,  H01L33/00 ,  H05B33/22

FI (3件)：

H05B33/14 B ,  H01L33/00 Z ,  H05B33/22 B

Fターム (5件)：

3K007AB03 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  5F041CA45

引用特許：

出願人引用 (9件)

• 米国特許第6,097,147号明細書
  
• 国際公開第02/02714号パンフレット
  
• 米国特許出願公開第2001/0019782号明細書
  
• EP1191612号明細書
  
• 国際公開第02/15645号パンフレット
  
• EP1191614号明細書
  
• 国際公開第00/70655号パンフレット
  
• 国際公開第01/41512号パンフレット
  
• 米国特許第6,303,238号明細書