特許
J-GLOBAL ID:200903071495187144

多層配線におけるスルーホール部結線方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 敏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-198082
公開番号(公開出願番号):特開平5-047940
出願日: 1991年08月07日
公開日(公表日): 1993年02月26日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、多層配線の半導体装置におけるスルーホールを通しての配線どうしの結線方法に関するもので、スルーホール部での異種メタルの積層による抵抗の増大を除去する方法を提供するものである。【構成】 前記目的のために本発明では、第1積層メタル配線の上のARM膜形成後、スルーホール部の該ARM膜を除去することと、第2層目の積層メタル配線のための耐マイグレーション用膜も、それを育成後スルーホール底部のその膜を除去した上、第2層目の積層メタル配線を形成するようにした。
請求項(抜粋):
(a)半導体基板上に第1層目の積層メタル配線を形成し、その上に反射防止膜を形成する工程と、(b)その上に層間絶縁膜を形成し、スルーホールを形成する工程と、(c)該スルーホール部の前記反射防止膜を除去する工程と、(d)第2層目の積層メタル配線のための耐マイグレーション用の膜を形成する工程と、(e)前記耐マイグレーション用膜を前記スルーホール底部以外は残るようにエッチングする工程と、(f)次いで第2層目の積層メタル配線を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線におけるスルーホール部結線方法。
IPC (2件):
H01L 21/90 ,  H01L 21/3205
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-243551
  • 特開平1-192140
  • 特開平3-041717
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