化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011657
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217213
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 IB族元素と、IIIB族元素としてInおよびGaと、VIB族元素とを含み、その膜厚方向におけるGa分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。【解決手段】スパッタリング法を用いて、Inを含む第1層21と、CuおよびGaを含む第2層22と、Cuを含む第3層23とが順次積層してなる前駆体薄膜20を基板10上に形成した後、Seを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜20を熱処理して、Cu(In,Ga)Se2薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含み、前記IIIB族元素がInおよびGaを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、スパッタリング法を用いて基板に原料元素を供給し、前記基板上に少なくとも前記IB族元素、InおよびGaを含む前駆体薄膜を形成する工程と、前記前駆体薄膜に前記VIB族元素を供給しながら、前記前駆体薄膜を熱処理する工程とを含み、前記前駆体薄膜を形成する工程は、前記基板にInおよび前記IB族元素から選ばれる少なくとも一方を供給する第1工程と、この第1工程の後に前記基板に前記IB族元素およびGaを供給する第2工程と、この第2工程の後に前記基板にInおよび前記IB族元素から選ばれる少なくとも一方を供給する第3工程とを有することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/363 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/363 , H01L 31/04 E

Fターム (17件)：

5F051AA10 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051GA03 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB32 , 5F103BB33 , 5F103BB42 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103LL20 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103RR06

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