化学気相成長装置及び半導体デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶山佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058529
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】高アスペクトなトレンチや円筒型キャパシタ構造に対してコンフォーマルかつ結晶性に優れた成膜が可能な熱化学気相成長装置を提供する。【解決手段】反応炉を有し、該反応炉内に、反応ガスと酸化剤ガスとを別々に炉内へ吹き出すことができるガスヘッドと、該ガスヘッドと対峙して上面に基板が載置されるサセプタを有し、前記ガスヘッドはガスマニホールドと組み合わせて使用される気相成長装置において、液体反応材料を気化するためのコラム充填気化器を有し、該コラム充填気化器と前記ガスマニホールドは、一端に排気管が接続された三方弁を中間に有するパイプにより連結することからなり、カラム充填気化器からガスマニホールドまでの配管距離を1m以下とする。

請求項（抜粋）：

反応炉を有し、該反応炉内に、反応ガスと酸化剤ガスとを別々に炉内へ吹き出すことができるガスヘッドと、該ガスヘッドと対峙して上面に基板が載置されるサセプタを有し、前記ガスヘッドはガスマニホールドと組み合わせて使用される化学気相成長装置において、液体反応材料を気化するためのコラム充填気化器を有し、該コラム充填気化器と前記ガスマニホールドは、一端に排気管が接続された三方弁を中間に有するパイプにより連結することを特徴とする化学気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/448 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/44 C , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Fターム (63件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA01 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA06 , 4K030DA09 , 4K030EA01 , 4K030EA05 , 4K030FA03 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA18 , 4K030KA17 , 4K030LA01 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045AF10 , 5F045BB01 , 5F045BB19 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045DQ17 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045EB08 , 5F045EC08 , 5F045EC09 , 5F045EE02 , 5F045EE13 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045EK05 , 5F045EK10 , 5F045EK26 , 5F045EM02 , 5F045GB13 , 5F083AD14 , 5F083AD15 , 5F083GA27 , 5F083JA06 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR21

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