特許
J-GLOBAL ID：200903071513144954
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200799
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置(ウエハ)口径の大型化さらに薄型化が進んでも、半導体装置の凹状の反りの少ない量産性に優れた半導体装置の製造方法提供する。【解決手段】 接続電極パッド12を有する半導体装置10の素子形成面である表面に保護膜13を形成し、電極パッド12が開口するように保護膜13をパターンニングする工程と、共通電極膜14を半導体装置10の表面に形成する工程と、応力緩和膜15を半導体装置10の裏面に形成する工程と、メッキレジスト16を半導体装置10の表面に形成する工程と、メッキレジスト16を突起電極形成領域が開口するようにパターンニングする工程と、メッキレジスト16の開口部にメッキにより突起電極17を形成する工程と、メッキレジスト16を除去する工程と、突起電極17の付け根以外の部分の共通電極膜14および応力緩和膜15を除去する工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
接続電極パッドを有する半導体装置の素子形成面である表面に保護膜を形成し、電極パッドが開口するように保護膜をパターンニングする工程と、共通電極膜を半導体装置の表面に形成する工程と、応力緩和膜を半導体装置の裏面に形成する工程と、メッキレジストを半導体装置の表面に形成する工程と、メッキレジストを突起電極形成領域が開口するようにパターンニングする工程と、メッキレジストの開口部にメッキにより突起電極を形成する工程と、メッキレジストを除去する工程と、突起電極の付け根以外の部分の共通電極膜および応力緩和膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 N
