特許

J-GLOBAL ID：200903071518902245

半導体装置およびその製造方法

発明者： 古川 泰助 ,  米田 喜和 ,  林 正美 ,  川間 吉竜 ,  今田 勝大 ,  池田 龍彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154127
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353229
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 HBTの動作特性を悪化させることなく、ベース引出領域の低抵抗化を図ることにより、HBTの動作特性をさらに良好なものとする、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 開口部7Aにおいて窒化膜7の側壁に達するまで開口部6Aからせり出すように設けられるn-型シリコン層8およびn+型シリコン層8aを有する。さらに、n-型シリコン層8およびn+型シリコン層8aの上に、窒化膜7の表面において横方向に引出されるp型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜9B、およびこのシリコンゲルマニュウム膜9Bの表面に多結晶のシリコン膜10Bを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に設けられた第1導電型の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層において選択的に設けられた第1導電型の活性領域と、前記活性領域に通じる第1開口部を有し、前記単結晶シリコン層の表面を覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層の表面に設けられ、前記第1開口部を含むように前記第1開口部よりも大きい第2開口部を有する第2絶縁層と、前記第1開口部を埋めるとともに、前記第2開口部において第2絶縁層の開口部側壁に達するまで前記第1開口部からせり出すように設けられる第1導電型の単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層の表面に設けられた第2導電型の第1単結晶半導体層と、前記第2絶縁層の表面に形成され、前記第1単結晶半導体層と連続して設けられる第2導電型の第1多結晶半導体層と、第1単結晶半導体層の表面に設けられた第2単結晶半導体層と、第1多結晶半導体層の表面に形成され、前記第2単結晶半導体層と連続して設けられる第2多結晶半導体層と、前記第2単結晶半導体層に設けられ、前記第1単結晶半導体層と接続する第1導電型の不純物拡散層と、を備える半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737

Fターム (23件)：

5F003BB05 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BF10 ,  5F003BG03 ,  5F003BG06 ,  5F003BH06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH18 ,  5F003BH93 ,  5F003BM01 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BP34 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08