特許
J-GLOBAL ID：200903071520058818
ウエハメッキ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169878
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037189
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハ表面に残り易いガスを半導体ウエハ表面より追い出し、また、メッキ高さのばらつきを低減できるウエハメッキ装置を提供する。【構成】 上向きに設置された半導体ウエハ8を設置したステージ9を自回転、およびステージ台10を公回転させる。そして半導体ウエハは8の上方よりメッキ液16をメッキ液噴出ノズル12より直噴出、シャワー噴出、または霧状噴出させて半導体ウエハ8の表面に当てる。メッキ反応室13を真空ポンプ18を用い減圧状態にする。基板用電極端子11とメッシュ電極板15に電流を印加し、電解メッキを行うウエハメッキ装置の構成とする。
請求項（抜粋）：
ウエハを載置するステージと、前記ステージに載置した前記ウエハの上面に上方からメッキ液を噴出して当てるメッキ液噴出ノズルを備えたウエハメッキ装置。
IPC (2件)：
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