特許

J-GLOBAL ID：200903071520097139

半導体温度センサ

発明者： 嵯峨 良平
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-046222
公開番号（公開出願番号）：特開平9-243466
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 低消費電流化に適したMOSトランジスタでもって、製造バラツキが少なくて再現性および精度にすぐれ、とくに常温(25°C)に対して±75°C程度という一般使用頻度が高い範囲で、良好な精度を得ることができる半導体温度センサおよびその応用装置を実現する。【構成】 MOSトランジスタのβ(電圧利得)を電圧に変換して取り出すようにしたβ電圧変換回路を構成し、このβ電圧回路の出力を温度センス出力として利用する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのβ(電圧利得)を電圧に変換して取り出すようにしたβ電圧変換回路を構成し、このβ電圧変換回路の出力を温度センス出力とすることを特徴とする半導体温度センサ。

IPC (3件)：

G01K 7/01 ,  H01L 23/58 ,  H02J 7/10

FI (3件)：

G01K 7/00 391 M ,  H02J 7/10 L ,  H01L 23/56 D