特許

J-GLOBAL ID：200903071525822117

誘電体素子および誘電体素子の製造方法

発明者： 橋本 晃 ,  佐藤 善美 ,  川上 敦史 ,  小針 英也 ,  中島 哲矢
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321303
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144263
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 電極材料としてPtを用いた誘電体素子において、ボイドやシームが生じることがなく、電気特性に優れたPt電極を簡便に形成することができるとともに、処理室内汚染等の問題がなく、かつ、微細パターンの形成が可能な誘電体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を備える誘電体素子において、少なくとも一方の電極をPt層とするとともに、その下地層としてRu層を用いて誘電体素子とする。誘電体素子の製造においては、該Pt層を電気めっき法により形成するが、このとき、めっきマスクとしてホトレジストパターンを用い、かつRu層をシード層として形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にRu層、Pt層、誘電体層、およびPt層を順次積層してなり、前記誘電体層が強誘電体層であることを特徴とする誘電体素子。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/12 312 ,  H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 3/12 326 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/12 312 ,  H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 3/12 326 ,  H01L 27/10 651

Fターム (28件)：

5F083AD11 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB06 ,  5G303CB09 ,  5G303CB10 ,  5G303CB13 ,  5G303CB14 ,  5G303CB20 ,  5G303CB21 ,  5G303CB25 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB37 ,  5G303CB43