特許
J-GLOBAL ID:200903071530513556
成膜方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 高柴 忠夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-118953
公開番号(公開出願番号):特開2005-298929
出願日: 2004年04月14日
公開日(公表日): 2005年10月27日
要約:
【課題】 複数の材料から形成される混合膜を基板上に効率良く形成することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】 基板2上に、第1のターゲット5の成分と、第2のターゲット4の成分とが混合された混合膜を成膜する方法であって、TiOx(0<x<2)を主成分とする第1のターゲット5にDC電圧を印加またはAC電圧を印加し、基板2上に第1のターゲット5の成分をスパッタする第1のスパッタ工程と、第1のターゲットと屈折率が異なる材料からなる第2のターゲット4を基板2上にスパッタする第2のスパッタ工程とを有する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板上に、第1のターゲットの成分と、第2のターゲットの成分とが混合された混合膜を成膜する方法であって、
TiOx(0<x<2)を主成分とする前記第1のターゲットにDC電圧を印加またはAC電圧を印加し、前記基板上に前記第1のターゲットの成分をスパッタする第1のスパッタ工程と、
前記第1のターゲットと屈折率が異なる材料からなる前記第2のターゲットを前記基板上にスパッタする第2のスパッタ工程とを有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件):
C23C14/06
, C23C14/34
, G02B5/28
FI (3件):
C23C14/06 P
, C23C14/34 N
, G02B5/28
Fターム (19件):
2H048GA04
, 2H048GA12
, 2H048GA32
, 2H048GA55
, 2H048GA60
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029CA08
, 4K029DA10
, 4K029DA12
, 4K029DC16
, 4K029EA02
, 4K029EA09
引用特許:
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