特許
J-GLOBAL ID：200903071534955081
浸漬型誘導結合プラズマ源
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053020
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334800
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 高密度で均一な分布のプラズマを生成するプラズマ源及びこれを使用するシステムの提供を目的とする。【解決手段】 プラズマ処理システムは、真空チャンバーの真空処理空間内のプラズマに高周波エネルギーを効率的に結合させるプラズマ源を有する。プラズマ源は、誘電性のある溝槽と、誘導素子と、対の有孔のデポジション・シールドとを含む。真空チャンバーのチャンバー壁は、誘電溝槽を収容する環状の開口を含む。溝槽は、プラズマ内に誘導素子を浸漬させるために真空処理空間内に突出する。プラズマに誘導素子から誘導的に結合されるRFエネルギーの空間的分布は、有孔のデポジション・シールドの孔、誘導素子の構成、若しくは溝槽の形状又は厚さの変更により調整されてよい。RFエネルギーの効率的な誘導結合は、大きな領域の基板の処理に対して空間的に均一で広範囲のプラズマを生成するために特に効果的である。
請求項（抜粋）：
プラズマにより基板を処理するシステムであって、真空処理空間を包囲し環状の開口を有したチャンバー壁、及び、該真空処理空間に処理ガスを導入するガス導入口を有した真空チャンバーと、該真空処理空間内に設けられ、上記基板を支持するように構成された基板支持台と、高周波(RF)エネルギー源と、該環状の開口に真空密閉式に設けられ、誘電性のある内壁及び外壁を含む、誘電性のある環状の溝槽と、該誘電性のある内壁の近傍に設けられた、該真空チャンバー内の内側のデポジション・シールドと、該誘電性のある外壁の近傍に設けられた、該真空チャンバー内の外側のデポジション・シールドと、該溝槽内部に配置され、該真空処理空間の上記プラズマに該溝槽の内壁と外壁及び該内側と外側のデポジション・シールドを通ってRFエネルギーを結合させるためにRFエネルギー源に動作可能に接続された誘導素子と、を含むシステム。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, C23C 16/505
, H01L 21/3065
H05H 1/46 L
, C23C 16/505
, H01L 21/302 C
4K030FA04
, 4K030KA30
, 5F004BA06
, 5F004BD04
