半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112075
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、MOVPE法に依る1回成長の利点、即ち、高製造歩留り及び低価格の利点を維持したまま、屈折率導波に依る横モード閉じ込め効果に利得導波に依る横モード閉じ込め効果を付加できるようにし、安定な横モード制御を実現させようとする。【解決手段】層数が複数に分割されたn側クラッド層2内に介在して主面領域並びに主面と異なる面方位をもつと共に主面と異なる不純物取り込み率をもつ斜面領域からなる光吸収量が大きい光吸収層8(主面領域)及び光吸収量が小さい光吸収層9(斜面領域)を含んでいる。

請求項（抜粋）：

層数が複数に分割されたn側クラッド層内に介在して主面領域並びに主面と異なる面方位をもつと共に主面と異なる不純物取り込み率をもつ斜面領域からなる光吸収層を含んでなることを特徴とする半導体レーザ装置。

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