特許

J-GLOBAL ID：200903071544884980

半導体ウェハの表面処理方法

発明者： 土田 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005330
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283196
出願日： 1985年12月09日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 ウェハの外周に形成された面取部の表面が極めて平滑でかつ加工歪みのない半導体ウェハの表面処理方法を提供する。【構成】 外周縁両面に面取部2が形成された半導体ウェハA全体をエッチング液に浸漬させてエッチング処理を施す半導体ウェハの表面処理方法において、上記半導体ウェハAを単数枚で、あるいは複数枚重ね合わせて、チャック間に把持させ、これらの半導体ウェハAの面取部2だけにエッチング液イを供給しつつ回転させて該面取部2表面の切断歪みを溶解除去した後に、上記半導体ウェハA全体のエッチング処理を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

外周縁両面に面取部が形成された半導体ウェハ全体をエッチング液に浸漬させてエッチング処理を施す半導体ウェハの表面処理方法において、上記半導体ウェハを単数枚で、あるいは複数枚重ね合わせて、チャック間に把持させ、これらの半導体ウェハの面取部だけにエッチング液を供給しつつ回転させて該面取部表面の切断歪みを溶解除去した後に、上記半導体ウェハ全体のエッチング処理を行うことを特徴とする半導体ウェハの表面処理方法。