特許
J-GLOBAL ID：200903071546238105
オゾン製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121863
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313607
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造分野で使用できるクリーンで且つ高濃度のオゾンを製造できるオゾン製造方法及び装置を提供することを。【解決手段】 放電を発する放電体1を具備し、該放電体1に原料ガスを供給し、放電によりオゾンを発生させるオゾン発生装置と、該オゾン発生装置で発生したオゾンを含むガスを冷却する冷却器3を具備し、放電体1に原料ガス4として酸素と二酸化炭素を含むガスを供給し、放電により原料ガス4の一部をオゾンに変換し、該オゾンを含むガスを冷却器3に送り、該冷却器3で二酸化炭素を固化し、濃縮したオゾンを製造する。
請求項（抜粋）：
原料ガスとして酸素と二酸化炭素を含むガスを使用し、放電により該原料ガスの一部がオゾンに変換された後、該オゾンを含むガスを冷却し、二酸化炭素を固化させて除去し濃縮したオゾンを製造することを特徴とするオゾン製造方法。
Fターム (5件)：
4G042CA01
, 4G042CB01
, 4G042CB14
, 4G042CB19
, 4G042CB26
