特許
J-GLOBAL ID：200903071553168813
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-278631
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132292
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 ゲッタリング効果が高く、製造が簡便なSOI構造の半導体装置を提供する。【構成】 絶縁膜11上のシリコン単結晶膜12のソース・ドレイン領域12A,12Bの夫々の表面に多結晶シリコン膜(ゲッタリング用)13を形成し、夫々の上にソース電極17A,ドレイン電極17を形成し、多結晶シリコン膜13をソース・ドレイン電極の一部としたことにより有効なゲッタリング効果が得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上のシリコン単結晶膜に形成した半導体装置において、前記シリコン単結晶膜外側面にゲッタリング用欠陥膜を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 29/784
