特許
J-GLOBAL ID：200903071557198741
パタン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104059
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306604
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 2層レジスト法の一種であるいわゆる遠紫外PCM法のキャップド法において第1および第2のレジスト層間に生じてしまう混合層の除去を、酸素プラズマを用いることなく行なえる方法を提供する。【構成】 シリコン基板11上に遠紫外光に感応するポジ型レジストから成る第1のレジストの層13、ノボラック系の第2のレジスト層をこの順に形成する。これらレジストの層間には混合層17が生じる。次に、第2のレジストの層を紫外光により選択的に露光しさらに現像して第2のレジストのパタン15x を得る。第2のレジストのパタンの形成を終えた試料上に、遠紫外光に感応するポジ型レジストから成る第3の層21を形成する。この試料に加熱処理を施して、混合層17を変質させて変質した混合層23を生成する。第3の層21を現像液により除去することで変質した混合層23も共に除去する。
請求項（抜粋）：
下地上に第1のレジストの層として遠紫外光に感応するポジ型レジストの層を形成する工程と、該第1のレジストの層上に第2のレジストの層として遠紫外光以外のエネルギー線に感応するノボラック系レジストの層を形成する工程と、該第2のレジストの層を前記エネルギー線を用いたリソグラフィによりパターニングする工程と、第1のレジストの層上に第2のレジストの層を形成したためにこれら層の間に生じている混合層のうち前記第2のレジストの層のパターニングによって露出された部分を除去する工程と、前記混合層の前記露出部分の除去が済んだ試料に遠紫外光を一括照射する工程と、該遠紫外光の一括照射の済んだ試料における前記第1のレジストの層を現像する工程と、を含むパタン形成方法において、前記混合層の前記露出された部分の除去は、前記第2のレジストの層に対するパターニングを終えた試料上に、第3の層であって、前記混合層の該第3の層と接する部分が後の該第3の層を除去する際に共に除去されるように該部分を変質させ得る材料からなる第3の層を形成し、該第3の層の形成が済んだ試料に対し前記変質を促進するための処理をし、その後、該第3の層を除去するという一連の処理で行うことを特徴とするパタン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 511
H01L 21/30 502 C
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 573
