特許
J-GLOBAL ID：200903071558160667
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-002506
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211758
出願日： 1994年01月14日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 2つの素子のバンプ接合に関し,高価な評価装置を必要としないで素子選別をできにようにし,良品素子の回収により製造歩留を向上する。【構成】 2つの素子間 1, 2 をフリップチップボンディングによりバンプ接合する際に,該2つの素子のいずれか一方または両方に接合前の該バンプの高さより小さく且つ接合後の該バンプの高さより大きい厚さをし且つ該バンプより硬度の高いバンプ接合圧制御層 3を設け,該制御層に接するまで該2つの素子間を加圧して特性チェックを行って素子全体の良否を選別し,素子全体の特性が不良の場合は該2つの素子を剥離して良品の素子を回収し,素子全体の特性が良品の場合は該2つの素子間を再加圧してバンプの接合力を強化する。
請求項（抜粋）：
2つの素子間(1),(2) をフリップチップボンディングによりバンプ接合する際に,該2つの素子の少なくとも一方に接合前の該バンプの高さより小さく且つ接合後の該バンプの高さより大きい厚さを有するバンプ接合圧の制御層(3)を設け,該制御層に接するまで該2つの素子間を加圧して特性チェックを行って素子全体の良否を選別し,該制御層を除去後に該2つの素子間を再加圧してバンプの接合力を強化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, H01L 21/60 311
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
