特許

J-GLOBAL ID：200903071560552572

後CMP洗浄用改良アルカリ薬品

発明者： マシュー・エル・フィッシャー ,  アシュトシュ・ミスラ
出願人/特許権者： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-196745
公開番号（公開出願番号）：特開2009-055020
出願日： 2008年07月30日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】半導体装置の製造の間にウェハの化学機械平坦化(CMP)後の半導体ウェハの洗浄に関し、金属、特に銅、相互接続を含むウェハの後CMP洗浄用アルカリ薬品を提供する。【解決手段】残留スラリーパーティクル、特に銅または他の金属パーティクルは金属を十分にエッチングする、表面に堆積物を放置する、十分な汚染物を与える、ことをせずに半導体表面から除去され、同時に金属を酸化および腐食から保護する。さらに、少なくとも1つの強キレート剤は溶液中で金属イオンを錯化するために存在し、誘電体からの金属除去を促進しかつウェハ上への再堆積を防止する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(a)洗浄剤、前記洗浄剤はテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含む; (b)キレート剤、前記キレート剤はエチレンジアミン、グルコン酸、イソプロパノールアミン、イソプロピルヒドロキシルアミンおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1つを含む; (c)腐食抑制化合物、前記腐食抑制化合物は没食子酸プロピル、メルカプトンプロピオン酸およびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1つを含む; を含む少なくとも1つのCMP製造工程の後に半導体加工物を洗浄するための後CMP洗浄組成物。

IPC (8件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/34 ,  C11D 3/26 ,  C11D 3/30 ,  C11D 3/34 ,  C11D 3/20

FI (10件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647B ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/34 ,  C11D3/20 ,  H01L21/304 622Q

Fターム (25件)：

4H003DA15 ,  4H003EB08 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003EB21 ,  4H003FA15 ,  5F157AA28 ,  5F157AA42 ,  5F157AA51 ,  5F157AA70 ,  5F157AA96 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BC07 ,  5F157BC52 ,  5F157BD02 ,  5F157BD03 ,  5F157BD09 ,  5F157BE52 ,  5F157CB03 ,  5F157DA21 ,  5F157DB03 ,  5F157DB45 ,  5F157DB57