薄膜トランジスタバックプレーン回路およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-337900
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173812
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】薄膜トランジスタバックプレーン回路について作製コストを抑えるとともに有機半導体へのキャリア注入を効率化する。【解決手段】各薄膜トランジスタ110は、ドレインコンタクト構造Dと、ソースコンタクト構造Sと、ソースコンタクト構造とドレインコンタクト構造との間に配置された有機半導体領域115とを含む。各アドレスラインは複数の薄膜トランジスタの列のドレインコンタクト構造に接続されている。各アドレスラインと各薄膜トランジスタのソースコンタクト構造及びドレインコンタクト構造とはそれぞれ、ベース部分118-1,118-2と、ベース部分の少なくとも一つの表面に対向しベース部分に比べて薄いコンタクト層119-1,119-2とを含む。ベース部分は第一材料を含んで構成され、コンタクト層は有機半導体との電気接触性が第一材料に比べて良好な第二材料を含んで構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の薄膜トランジスタであって、各薄膜トランジスタがドレインコンタクト構造と、ソースコンタクト構造と、前記ソースコンタクト構造と前記ドレインコンタクト構造との間に配置された有機半導体領域とを含む複数の薄膜トランジスタと、複数のアドレスラインであって、各アドレスラインが前記複数の薄膜トランジスタの列の前記ドレインコンタクト構造に接続されている複数のアドレスラインと、を備え、前記各アドレスラインと前記各薄膜トランジスタの前記ソースコンタクト構造および前記ドレインコンタクト構造とがそれぞれ、ベース部分と、前記ベース部分の少なくとも一つの表面に対向して形成され前記ベース部分に比べて薄いコンタクト層と、を含んだ多層構造を備え、前記ベース部分が、第一材料を含んで構成され、前記コンタクト層が、前記有機半導体との電気接触性が前記第一材料に比べて良好な第二材料を含んで構成されていることを特徴とする、薄膜トランジスタバックプレーン回路。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 29/417 , H01L 29/41

FI (6件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/28 100A , H01L29/50 M , H01L29/44 L

Fターム (37件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD53 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA03 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE03 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第6,806,124号明細書
米国特許出願公開第2005/0042548号明細書
米国特許出願公開第2005/0127357号明細書

審査官引用 (8件)

有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-306861 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-208210 出願人：パイオニア株式会社
不揮発メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-421309 出願人：キヤノン株式会社

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