特許
J-GLOBAL ID：200903071567714861
ゲート酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349602
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204465
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】フッ素の含有によるゲート絶縁膜の劣化を抑制することができるゲート絶縁膜の形成方法の提供。【構成】酸素を含む亜酸化窒素雰囲気中でシリコン基板を熱処理する工程を有する、窒素を含むゲート絶縁膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
酸素を含む亜酸化窒素雰囲気中でシリコン基板を熱処理する工程を有する、窒素を含むゲート酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/318
