特許

J-GLOBAL ID：200903071574087309

半導体力学量センサの製造方法及び半導体力学量センサ

発明者： 武藤 浩司 ,  深田 毅 ,  寺田 雅一 ,  杉戸 泰成 ,  彼末 将和 ,  吉原 晋二 ,  尾添 祥司 ,  藤野 誠二 ,  酒井 峰一 ,  村田 稔 ,  竹内 幸裕 ,  青山 正紀
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369840
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031502
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 製造途中の段階で可動電極及び固定電極が互いに張り付く現象が発生する事態を防止して歩留まりの向上を実現すること、特性の向上を実現すること。【解決手段】 (a)単結晶シリコンウェハ14a上に単結晶シリコン薄膜14bをシリコン酸化膜14cを介して設けたSOI基板14を用意し、(b)電極パッド4c、5cを形成する電極パッド形成工程、(c)単結晶シリコン薄膜14bを研削・研磨する寸法調整工程、(d)マスク15を形成するマスク形成工程、(e)単結晶シリコン薄膜14bにシリコン酸化膜14cに達するトレンチ16を形成するトレンチ形成工程、(f)単結晶シリコンウェハ14aを所定膜厚を残してウエットエッチングする第1のエッチング工程、(g)上記残存単結晶シリコンウェハ14aをドライエッチングにより除去する第2のエッチング工程、(h)シリコン酸化膜14cをドライエッチングにより除去する第3のエッチング工程を実行し、半導体加速度センサ1の基本構造を完成させる。

請求項（抜粋）：

絶縁層で分離された複数の半導体層を有する半導体基板に対し、その両面から所望の層を適宜にエッチングして除去する加工を施すことにより、力学量検出のための可動部を形成するようにした半導体力学量センサの製造方法において、前記可動部を形成する際には、少なくとも最終的に当該可動部を画定するための可動部画定工程を気相雰囲気で行うように構成したことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/125

FI (2件)：

H01L 29/84 Z ,  G01P 15/125

引用特許：

出願人引用 (3件)

• レートセンサを製造するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-211560   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 特開平4-162575
  
• 加速度センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-299195   出願人：松本佳宣, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

審査官引用 (3件)

• レートセンサを製造するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-211560   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 特開平4-162575
  
• 加速度センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-299195   出願人：松本佳宣, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社