薄膜状半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089905
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタを歩留りよく製造する方法を提供する。【構成】絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、アモルファス半導体被膜を形成した後、レーザー光に対して透明な保護被膜を形成し、これにレーザー光を照射して半導体被膜の結晶性を改善せしめた後、前記保護被膜を除去して、半導体被膜の表面を露出させ、新たにゲイト絶縁膜となる被膜を形成したのち、ゲイト電極を形成することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法および上記方法によって得られた薄膜状半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、半導体被膜を形成する工程と、前記半導体被膜上に透明な保護被膜を形成する工程と、前記保護被膜を除去して半導体被膜の表面を露出せしめる工程と、前記半導体被膜にパルスレーザー光またはそれと同様の強光を照射することにより結晶化せしめる工程と、前記半導体被膜上にゲイト絶縁膜として機能する絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上に金属元素を主成分とする第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線を主たるマスクとして自己整合的に高速イオンを照射する工程と、前記イオン照射後、前記第1の配線を主たるマスクとしてパルスレーザー光またはそれと同等の強光を照射する工程とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-224255
特開平2-228043
特開平2-224253

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