特許
J-GLOBAL ID：200903071581751109
微小構造体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187510
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017245
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 犠牲層エッチング法における選択エッチング時と乾燥時の基板上に形成された微小構造体の脆弱性に起因する破壊や固着の問題を、汎用性が高く低コストで簡単なプロセスによって解決する。【解決手段】 基板1に犠牲層2を形成し、微小構造体層3を少なくとも一部が前記犠牲層2上に重なるように前記基板1に形成した後、当該微小構造体層3を所定の形状にパターニングし、さらに、パターニング後の微小構造体層3における前記犠牲層2上に重なるように形成された部分の少なくとも一部と前記基板又は前記基板上の固定部分とを接続する犠牲ブリッジ層4を形成し、犠牲層2を選択的にエッチング後、前記犠牲ブリッジ層4をエッチング液を用いない方法で選択的に除去することで、基板に対し少なくとも一部が微小空隙を介して保持される構造体を形成する。
請求項（抜粋）：
基板に対し少なくとも一部が微小空隙を介して保持される構造体を形成する微小構造体の製造方法であって、基板に犠牲層となる第1の層を形成し、前記構造体を構成すべき第2の層を少なくとも一部が前記第1の層上に重なるように前記基板に形成した後、当該第2の層を所定の形状にパターニングし、さらに、パターニング後の第2の層における前記第1の層上に重なるように形成された部分の少なくとも一部と前記基板又は前記基板上の固定部分とを接続する第3の層を形成し、犠牲層となる前記第1の層を選択的にエッチング後、前記第3の層をエッチング液を用いない方法で選択的に除去することを特徴とする微小構造体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 49/00
, C23F 1/00
, H01L 21/3065
, C23C 16/42
H01L 49/00 Z
, C23F 1/00
, C23C 16/42
, H01L 21/302 J
