特許

J-GLOBAL ID：200903071586423223

縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 柳川 洋
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065418
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267673
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 二重拡散構造の縦型電界効果トランジスタの耐圧を低下させることなくイオン抵抗を低減する。【構成】 ソース領域6を形成する不純物をゲート電極4にも付着して、その後熱処理によってソース領域9を形成する不純物7がゲート電極4からゲート酸化膜3中を拡散し半導体基板1表面に達するようにする。【効果】 ゲート電極4直下の半導体基板1表面の不純物濃度が濃くなるため、ベース領域6の拡散深さに対して表面の拡散横広がりは小さくなり、ベース領域の拡散深さを変えることなく、チャンネル長Lを短くできる効果がある。

請求項（抜粋）：

ドレインとして作用する半導体基板の表面にベース領域と、その内部にソース領域とを形成した電界効果型トランジスタにおいて、前記ドレイン領域の表面をベース領域表面に喰い込ませて、ベース領域の表面に形成されるチャンネル長を内部のベース領域長よりも小さくしたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 321 H ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 321 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-057675
  
• 特開昭58-060573