特許
J-GLOBAL ID：200903071588277909
ダイヤモンドの合成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263250
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 各種の基板の表面上にグラファイトやDLC(ダイヤモンド状炭素質)等の不要な不純物の少ない高品質のダイヤモンドを、高いダイヤモンド初期核発生密度をもって効率よく形成し、しかも基板に対する密着性の優れた高品質のダイヤモンドを容易に量産することができる等の利点を有するダイヤモンドの合成法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基板に傷付処理を施す工程と、負のバイアス電圧を印加しつつ炭素含有化合物のプラズマで基板を処理する工程とを行なった後、前記基板上に気相法によりダイヤモンドを形成させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板に傷付処理を施す工程と、負のバイアス電圧を印加しつつ炭素含有化合物のプラズマで基板を処理する工程とを行なった後、前記基板上に気相法によりダイヤモンドを形成させることを特徴とするダイヤモンドの合成法。
IPC (4件)：
C23C 16/02
, C23C 16/26
, C23F 4/00
, C30B 29/04
