特許

J-GLOBAL ID：200903071596609104

透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法

発明者： 阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-382850
公開番号（公開出願番号）：特開2002-256424
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかも、In2O3-Sn系と同等の低抵抗を有する透明導電性薄膜を、スパッタリング法で再現性良く安定して製造できるターゲットを提供する。【解決手段】 酸化インジウムを主成分として、タングステン/インジウム原子数比が0.003〜0.15の範囲で、タングステンを含有する混合粉末を焼結して形成することにより、焼結体ターゲットを製造する。タングステンが、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶していることが好ましい。相対密度が90%以上であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムを主成分とし、タングステンを含有していることを特徴とする透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J

Fターム (22件)：

4G030AA24 ,  4G030AA34 ,  4G030BA01 ,  4G030BA15 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA30 ,  4K029BA01 ,  4K029BA10 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-204625